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Idec

Idec Abd1Bn-R

About The Switch Button, Round Flush, 30Mm, Red; For Use With:Idec 30Mm Twtd Series Non-Illuminated Pushbutton Switches; Actuator/Cap Colour:Red; Product Range:Twtd Series 30B5102 |IDEC ABD1BN-R

Switch Button, Round Flush, 30Mm, Red; For Use With:Idec 30Mm Twtd Series Non-Illuminated Pushbutton Switches; Actuator/Cap Colour:Red; Product Range:Twtd Series 30B5102 ,IDEC ABD1BN-R

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Specifications of Idec Abd1Bn-R

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Con.

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1Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:85°C; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |KEMET T523W476M035APE100.Kemet T523W476M035Ape100 47Μf, 35V, 20%; Capacità:47Μf; Tensione Nominale:35V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-Cap®; Tolleranza Capacità:± 20%; Codice Dimensioni Produttore:W; Resistenza Esr:0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Mosfet, N-Ch, 600V, 33A, Vson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:33A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:137W; Modello Case Transistor:Vson; No.

    Mosfet, N-Ch, 600V, 33A, Vson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:33A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:137W; Modello Case Transistor:Vson; No.

    Infineon Ipl60R105P7Auma1 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPL60R105P7AUMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N-Ch, 600V, 37A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:129W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N-Ch, 600V, 37A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:129W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R080P7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R080P7ATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N-Ch, 600V, 48A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.049Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:164W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N-Ch, 600V, 48A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.049Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:164W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R060P7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R060P7ATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N-Ch, 600V, 48A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.049Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:164W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N-Ch, 600V, 48A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.049Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:164W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R060P7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R060P7ATMA1.

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