Mosfet, N-Ch, 600V, 37A, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:37A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:129W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPB60R080P7ATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipb60R080P7Atma1
Specifications of Infineon Ipb60R080P7Atma1 | |
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