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Semiconduttori - Circuiti integrati
Onsemi

Onsemi Mc1413Bdr2G

About The Transistor Array, Npn, 1.1V, Soic; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1

Transistor Array, Npn, 1.1V, Soic; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:1000Hfe; Modello Case T ,ONSEMI MC1413BDR2G

Semiconduttori - Circuiti integrati

Onsemi Mc1413Bdr2G

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Specifications of Onsemi Mc1413Bdr2G

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, P-Ch, -30V, -3.05A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.05A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Mosfet, P-Ch, -30V, -3.05A, Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.05A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Onsemi Ntmd3P03R2G Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NTMD3P03R2G.

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    • Mosfet, Dual P-Ch, -20V, -1.7A, Udfn-6; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-1.7A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Udfn; No.

    Mosfet, Dual P-Ch, -20V, -1.7A, Udfn-6; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:-1.7A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Case Transistor:Udfn; No.

    Onsemi Ntlud3A260Pztag Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Μcool Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NTLUD3A260PZTAG.

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    • Transistor Array, Dual Comp, 40V, Sot963; Polarità Transistor:Complemento N E P; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:240Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe |ONSEMI NST3946DP6T5G
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    • Array Transistor, Npn, 50V, Soic; Polarità Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:1000Hfe; Modello C |ONSEMI NCV1413BDR2G
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