Mosfet, Dual N-Ch, 30V, 4A, Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,ONSEMI NTMD4N03R2G
Semiconduttori - Discreti
Onsemi Ntmd4N03R2G
Specifications of Onsemi Ntmd4N03R2G | |
---|---|
Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
Instock | instock |
Last Updated