Onsemi Ncv1413Bdr2G

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Transistor Array, Npn, 50V, Soic; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:1000Hfe; Modello Case Transistor:Soic; No.

Onsemi Ulq2003Adr2G Di Pin:16Pin; Temperatura Di Esercizio Max:85Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI ULQ2003ADR2G.

Semiconduttori - Circuiti integrati

Transistor Array, Dual Npn, 40V, Sot-363; PolaritÃ Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:150Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

Onsemi Smbt3904Dw1T1G Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SMBT3904DW1T1G.

Transistor Array, Npn, 4V, Sot-563; PolaritÃ Transistor:Npn, Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:100Hfe; Modello Case Transistor:Sot-563; No.

Onsemi Nst3946Dxv6T1G Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NST3946DXV6T1G.

Con.

Kemet C0402C471J1Gacauto 470Pf, 100V, 5%, C0G/Np0, 0402; CapacitÃ :470Pf; Tensione Nominale:100V; Case Condensatore Ceramico:0402 [1005 Metrico]; Tolleranza CapacitÃ :Â± 5%; Caratteristica Dielettrico:C0G/Np0; Gamma Prodotti:Serie Aec-Q200 C |KEMET C0402C471J1GACAUTO.

Componenti passivi circuiti

Condensatori

Componenti passivi

Kemet

Transistor Array, Dual Comp, 50V, Sc-88; PolaritÃ Transistor:Complemento N E P; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

Onsemi Umz1Nt1G Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI UMZ1NT1G.

Array Transistor, Aec-Q101, Npn, Sot-363; PolaritÃ Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Dissipazione Di Potenza Pd:380Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:420Hfe; Modello Case Transistor:Sot-363; No.

Onsemi Sbc847Cdw1T1G Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SBC847CDW1T1G.

Transistor Array, Dual Comp, 40V, Sot963; PolaritÃ Transistor:Complemento N E P; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:240Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; Modello Case Transistor:Sot-963; No.

Onsemi Nst3946Dp6T5G Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NST3946DP6T5G.

Array Transistor, Npn, 50V, Soic; PolaritÃ Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:1000Hfe; Modello Case Transistor:Soic; No.

Onsemi Ncv1413Bdr2G Di Pin:16Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI NCV1413BDR2G.

Transistor Array, Dual Comp, 40V, Sot963; PolaritÃ Transistor:Complemento N E P; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Dissipazione Di Potenza Pd:240Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:30Hfe; Modello Case Transistor:Sot-963; No.

Array Transistor, Npn, 50V, Soic; PolaritÃ Transistor:Npn Doppio; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:1000Hfe; Modello Case Transistor:Soic; No.