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Amphenol Sine/tuchel

Amphenol Sine/tuchel Vn02 015 0052 1

About The Circular Contact, Skt, 28-24Awg, Crimp; Product Range:C091 Series; Contact Gender:Socket; Contact Termination Type:Crimp; Wire Size Awg Max:24Awg; Wire Size Awg Min:28Awg; For Use With:Amphenol C091 Ser |AMPHENOL SINE/TUCHEL VN02 015 0052 1

Circular Contact, Skt, 28-24Awg, Crimp; Product Range:C091 Series; Contact Gender:Socket; Contact Termination Type:Crimp; Wire Size Awg Max:24Awg; Wire Size Awg Min:28Awg; For Use With:Amphenol C091 Ser ,AMPHENOL SINE/TUCHEL VN02 015 0052 1

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Amphenol Sine/tuchel Vn02 015 0052 1

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Rating :- 8.07 /10
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Con.

Con.

036Ohm; Durata Di Funzionamento @ Temperatura:2000 Ore @ 105°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:105°C; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |KEMET A767KS476M1JLAE036.Kemet A767Ks476M1Jlae036 47Μf, 63V; Capacità:47Μf; Tensione Nominale:63V; Case Condensatore Ae:Contenitore Radiale - Smd; Gamma Prodotti:Serie A767; Resistenza Esr:0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Aec-Q N-Channel 60 V (D-S) 175C Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SQA442EJ-T1_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Aec-Q Canale N 25V (D-S) Mosfet Powerpak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2.68A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.093Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Aec-Q Canale N 60 V (D-S)175C Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.19Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensio |VISHAY SQ2364EES-T1_GE3
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  • Vishay
    • Aec-Q Canale N 60 V (D-S)175C Mosfet; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.19Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensio |VISHAY SQ2364EES-T1_GE3
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