Infineon Ipb033N10N5Lfatma1
About The 3V; Dissipazione Di Potenza Pd:179W; Modello Case Transistor:To-263; No.Mosfet, Can N, 100V, 120A, 179W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Can N, 100V, 120A, 179W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:179W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPB033N10N5LFATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipb033N10N5Lfatma1
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Ipb033N10N5Lfatma1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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