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Infineon Ipb110N20N3Lfatma1

About The Mosfet, Can N, 200V, 88A, 250W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0098Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB110N20N3LFATMA1

Mosfet, Can N, 200V, 88A, 250W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0098Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te ,INFINEON IPB110N20N3LFATMA1

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Specifications of Infineon Ipb110N20N3Lfatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 100A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |INFINEON IPC100N04S5L1R9ATMA1
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    Mosfet, Can N, 60V, 100A, 167W, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:167W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

    Infineon Bsc016N06Nstatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC016N06NSTATMA1.

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