Mosfet, Can N, 60V, 100A, 167W, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:167W; Modello Case Transistor:Tdson; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON BSC016N06NSTATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Bsc016N06Nstatma1
Specifications of Infineon Bsc016N06Nstatma1 | |
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