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Infineon Ipb017N10N5Lfatma1

About The 0015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.Mosfet, Can N, 100V, 180A, 313W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Can N, 100V, 180A, 313W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:313W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPB017N10N5LFATMA1

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Infineon Ipb017N10N5Lfatma1

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Specifications of Infineon Ipb017N10N5Lfatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipb017N10N5Lfatma1
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Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 100A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 100A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Infineon Ipc100N04S5L1R5Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPC100N04S5L1R5ATMA1.

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    Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 40V, 100A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:75W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

    Infineon Ipc100N04S52R8Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPC100N04S52R8ATMA1.

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    Mosfet, Can N, 200V, 88A, 250W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:88A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0098Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:250W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb110N20N3Lfatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 3 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB110N20N3LFATMA1.

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    Mosfet, Can N, 150V, 120A, 313W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:313W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb048N15N5Lfatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5LFATMA1.

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    Mosfet, Can N, 150V, 120A, 313W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:313W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb048N15N5Lfatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5LFATMA1.

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