Mosfet, Can N, 100V, 120A, 313W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:313W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPB020N10N5LFATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipb020N10N5Lfatma1
Specifications of Infineon Ipb020N10N5Lfatma1 | |
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