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Infineon Ipn70R1K4P7Satma1

About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPN70R1K4P7SATMA1.2W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1

Mosfet Can N, 700V, 4A, 6.2W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:6.2W; Modello Case Transistor:Sot-223; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPN70R1K4P7SATMA1

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Specifications of Infineon Ipn70R1K4P7Satma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipn70R1K4P7Satma1
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Mosfet Can N, 700V, 6A, 6.5W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.74Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPN70R900P7SATMA1
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    Mosfet Can N, 600V, 50A, 227W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:227W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R040C7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos C7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R040C7ATMA1.

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    Mosfet, Can N, 150V, 105A, 179W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:105A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:179W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb083N15N5Lfatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB083N15N5LFATMA1.

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