Infineon Ipn70R600P7Satma1

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Mosfet Can N, 800V, 1.5A, 6W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.5A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3.8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Ipn80R4K5P7Atma1.

Mosfet Can N, 800V, 2.5A, 6.3W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Ipn80R2K4P7Atma1.

Mosfet Can N, 800V, 3A, 6.4W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Ipn80R2K0P7Atma1.

Mosfet Can N, 800V, 4A, 7W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Ipn80R1K4P7Atma1.

Mosfet Can N, 700V, 6A, 6.5W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.74Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPN70R900P7SATMA1

Infineon Ipn70R900P7Satma1.

Mosfet Can N, 600V, 50A, 227W, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:227W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb60R040C7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Coolmos C7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB60R040C7ATMA1.

Mosfet, Can N, 150V, 105A, 179W, To-263; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:105A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.1V; Dissipazione Di Potenza Pd:179W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb083N15N5Lfatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB083N15N5LFATMA1.

Mosfet Can N, 700V, 8.5A, 6.9W, Sot-223; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8.5A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.49Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:6.9W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Infineon Ipn70R600P7Satma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPN70R600P7SATMA1.