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Infineon Ipn80R1K4P7Atma1

About The 2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON IPN80R1K4P7ATMA1.Mosfet Can N, 800V, 4A, 7W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1

Mosfet Can N, 800V, 4A, 7W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,INFINEON IPN80R1K4P7ATMA1

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Infineon Ipn80R1K4P7Atma1

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Specifications of Infineon Ipn80R1K4P7Atma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet Can N, 800V, 4A, 7W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:7W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Mosfet Can N, 800V, 4A, 7W, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:7W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

Infineon Ipn80R1K4P7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPN80R1K4P7ATMA1.

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    Infineon Ipn70R900P7Satma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPN70R900P7SATMA1.

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