reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipw60R120P7Xksa1

About The 1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |INFINEON IPW60R120P7XKSA1.Mosfet Can N, 600V, 26A, 95W, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:26A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet Can N, 600V, 26A, 95W, To-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:26A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,INFINEON IPW60R120P7XKSA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipw60R120P7Xksa1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipw60R120P7Xksa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipw60R120P7Xksa1
More Varieties

Rating :- 8.16 /10
Votes :- 54