reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Irl60Hs118

About The 5A, 11.Mosfet, Can N, 60V, 18

Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T ,INFINEON IRL60HS118

Semiconduttori - Discreti

Infineon Irl60Hs118

More from Infineon? Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IRL60HS118
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Irl60Hs118

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Irl60Hs118
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.23 /10
Votes :- 52
Modulo Igbt, Doppio Can N, 1.7Kv, 500A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Di Collettore Cc:500A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.95V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettit |INFINEON FF500R17KE4BOSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 80V, 12.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12.5A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Mosfet, Can N, 80V, 12.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12.5A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Infineon Irl80Hs120 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL80HS120.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Infineon Irl60Hs118 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL60HS118.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet Can N, 40V, 478A, 375W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:478A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet Can N, 40V, 478A, 375W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:478A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irl40Sc209 Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Strongirfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL40SC209.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 100V, 11A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Mosfet, Can N, 100V, 11A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Infineon Irl100Hs121 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL100HS121.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 80V, 12.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12.5A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IRL80HS120
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IRL60HS118
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet Can N, 40V, 478A, 375W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:478A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IRL40SC209
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IRL60HS118
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet Can N, 40V, 478A, 375W, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:478A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IRL40SC209
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon