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Infineon Irl100Hs121

About The 5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IRL100HS121 Mosfet, Can N, 100V, 11A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

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Specifications of Infineon Irl100Hs121

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Irl100Hs121
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Modulo Igbt, Doppio Can N, 1.2Kv, 600A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Di Collettore Cc:600A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettit |INFINEON FF600R12KE4EBOSA1
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    Mosfet, Can N, 80V, 12.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12.5A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Infineon Irl80Hs120 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL80HS120.

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    Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

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    Mosfet, Can N, 60V, 18.5A, 11.5W, Pqfn; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0133Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:11.5W; Modello Case Transistor:Pqfn; No.

    Infineon Irl60Hs118 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL60HS118.

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