Infineon Irfb3607Pbf
About The Mosfet, N, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00734Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vg |INFINEON IRFB3607PBF
Mosfet, N, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00734Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vg ,INFINEON IRFB3607PBF
Semiconduttori - Discreti
Infineon Irfb3607Pbf
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Irfb3607Pbf | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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