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Nexperia Gan063-650Wsaq

About The Transistor, Jfet, 650V, To-247; Tensione Di Rottura Vbr:650V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:-; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:-; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:-; Modello Case |NEXPERIA GAN063-650WSAQ

Transistor, Jfet, 650V, To-247; Tensione Di Rottura Vbr:650V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:-; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:-; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:-; Modello Case ,NEXPERIA GAN063-650WSAQ

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Specifications of Nexperia Gan063-650Wsaq

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

Nexperia Psmn1R0-40Yshx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX.

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    Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:8.3W; Modello Case Transistor:To-236Ab; No.

    Nexperia Pmv30Enear Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PMV30ENEAR.

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    Mosfet, Canale N, 60V, 4.2A, Tsop-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.2A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.5W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Nexperia Pmn40Enax Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PMN40ENAX.

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