reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Nexperia

Nexperia Psmn1R0-40Yshx

About The Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX

Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No. Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) ,NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX

Semiconduttori - Discreti

Nexperia Psmn1R0-40Yshx

More from Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX | Nexperia
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Psmn1R0-40Yshx

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Nexperia Psmn1R0-40Yshx
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.14 /10
Votes :- 54
Interr.

Interr.

05A, 12Vdc, Smd; Gamma Prodotti:-; Orientamento Dell'attuatore:Attuazione Laterale; Montaggio Interruttore:Smd; Stile Di Attuatore:Pulsante Rettangolare; Forza Di Attuazione:220Gf; Classe Di Cont |MULTICOMP PRO MCPTCF-V.Multicomp Pro Mcptcf-V Tattile, Spst, 0.

  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Interruttori elettrici
  • Interruttori elettrici speciali
  • Interruttori e relè
  • Multicomp Pro
    • Sx1272 868/915Mhz Mbed Shield + Antenna; |SEMTECH SX1272MB2DAS
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Antenne
  • Schede di sviluppo e tool di valutazione
  • Semtech
    • Mosfet, Canale N, 40V, 300A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:300A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00076Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |NEXPERIA PSMNR90-40YLHX
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |NEXPERIA PMV30ENEAR
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 60V, 4.2A, Tsop-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.2A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PMN40ENAX
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

    Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

    Nexperia Psmn1R0-40Yshx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:8.3W; Modello Case Transistor:To-236Ab; No.

    Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:8.3W; Modello Case Transistor:To-236Ab; No.

    Nexperia Pmv30Enear Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PMV30ENEAR.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

    Mosfet, Canale N, 40V, 290A, Lfpak56E; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:290A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Modello Case Transistor:Lfpak; No.

    Nexperia Psmn1R0-40Yshx Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:8.3W; Modello Case Transistor:To-236Ab; No.

    Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:8.3W; Modello Case Transistor:To-236Ab; No.

    Nexperia Pmv30Enear Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |NEXPERIA PMV30ENEAR.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia