Mosfet, Canale N, 40V, 4.8A, To-236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens ,NEXPERIA PMV30ENEAR
Semiconduttori - Discreti
Nexperia Pmv30Enear
Specifications of Nexperia Pmv30Enear | |
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