Nexperia Bc856B,215
About The :220; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Dispositivo:Bc856B; Marcatura Smd:3B; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bc856 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:250Mw; Dissipazione Di Potenza Per Dispositivo Max:250Mw; Hfe Min
Transistor, Pnp, -65V,sot-23; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-65V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:220Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Bc856 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:250Mw; Dissipazione Di Potenza Per Dispositivo Max:250Mw; Hfe Min.:220; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +150°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Dispositivo:Bc856B; Marcatura Smd:3B; No. Di Transistor:1 ,NEXPERIA BC856B,215
Semiconduttori - Discreti
Nexperia Bc856B,215
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Nexperia Bc856B,215 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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