Nexperia Bc869,115

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Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:250Mw; Fattore Di Rumore Max:3Db; Hfe Min.:420; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Marcatura Dispositivo:Bc860C; Marcatura Smd:4G; No.

Nexperia Bc860C,215.Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-65Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):-300Mv; Tensione Vcbo:50V |NEXPERIA BC860C,215 Transistor, Pnp, 45V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:420Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:250Mw; Hfe Min.:420; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Marcatura Dispositivo:Bc859C; Marcatura Smd:4C; No.

Nexperia Bc859C,215.

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:200Mw; Dissipazione Di Potenza Per Dispositivo Max:300Mw; Hfe Min.:200; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65Â°C A +150Â°C; Larghezza Nastro:8Mm; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:100Mhz; Marcatura Dispositivo:3Ft; Marcatura Smd:3Ft; No.

Di Transistor:2; Temperatura Di Esercizio Min:-65Â°C; Tensione Vcbo:50V |NEXPERIA BC857BS,115 Transistor, Doppio, Pnp, Sc-88; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Dissipazione Di Potenza Pd:200Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:200Hfe; Modello Case Transistor:Sc-88; No. Nexperia Bc857Bs,115.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Bc857 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:100Ma; Corrente Ic Hfe:2Ma; Fattore Di Rumore Max:10Db; Hfe Min.:220; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Min:100Mhz; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:150Mhz; Marcatura Dispositivo:Bc857B; Marcatura Smd:3F; No.

Di Transistor:1; Temperatura Di Esercizio Min:-65Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):-300Mv; Tensione Vcbo:50V |NEXPERIA BC857B,215 Transistor, Pnp, 45V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-45V; Frequenza Di Transizione Ft:100Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Corrente Di Collettore Cc:-100Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:220Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Nexperia Bc857B,215.