Vishay Si2302Cds-T1-Ge3
About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:2.Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2
Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:2.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Salita:7Ns; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Max:850Mv; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V; Tensione Vgs Th Max:0.85V; Tensione Vgs Th Min:0.4V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,VISHAY SI2302CDS-T1-GE3 Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.9A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):8V; Tensione Di Soglia Vgs:850Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:710Mw; Modello Case Transistor:To-236; No.
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si2302Cds-T1-Ge3
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Si2302Cds-T1-Ge3 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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