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Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Byg10J-E3/tr

About The 5A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.5A, 600V, Sma; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1

Diodo, Raddrizz, 1.5A, 600V, Sma; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1.5A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Μs; Corrente Di P ,VISHAY BYG10J-E3/TR

Semiconduttori - Discreti

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Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Byg10J-E3/tr

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Rating :- 8.24 /10
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Diodo, Tvs, 100V, 1500W, Bi, 5%, Smc; Gamma Prodotti:Serie Transzorb Smcj; Polarità Tvs:Bidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:100V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:162V; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; No.
  • Dispositivi elettronici
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  • Diodi
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  • Littelfuse
    • Diodo, Tvs, 5.0V, 5Kw, Unidir, Assiale; Gamma Prodotti:Serie Transzorb 5Kp; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:5V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:9.2V; Modello Involucro Diodo:Connessione Assi |LITTELFUSE 5KP5.0A
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  • Littelfuse
    • Diodo, Zener, 3.9V, 0.5W, Sod-123; Tensione Zener Vz Tipica:3.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:500Mw; Modello Involucro Diodo:Sod-123; Tolleranza Zener ±:5%; No.
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  • Onsemi
    • Diodo, Sw, Ssd, 100V, 0.2A, Sod323; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di P |ONSEMI MMDL914T1G
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    • Diodo, Sw, Ssd, 100V, 0.2A, Sod323; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di P |ONSEMI MMDL914T1G
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