Vishay Si2308Bds-T1-Ge3

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Mosfet, Canale P,30V,8A,tsop-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione D |VISHAY SI3483CDV-T1-E3

Vishay Si3483Cdv-T1-E3.

Mosfet, Canale N, 60V, 2.3A, Sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.09W; Modello Case Transistor:To-236; No.

9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2308BDS-T1-GE3.Vishay Si2308Bds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:1.

Mosfet, Canale P,60V,110A,d2Pak; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-110A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0055Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.75W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Vishay Sum110P06-07L-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-110A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:-20V |VISHAY SUM110P06-07L-E3.

Mosfet, Canale P,40V,2.3A,sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:750Mw; Modello Case Transistor:To-236; No.

3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:-20V |VISHAY SI2319DS-T1-E3.Vishay Si2319Ds-T1-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-2.

Mosfet, Canale P,40V,2.3A,sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:750Mw; Modello Case Transistor:To-236; No.

Vishay Si2319Ds-T1-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-2.