ALWAYS ^{Be Happy}

Categories

Play Games ^New

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Vishay Si2318Cds-T1-Ge3

About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2318CDS-T1-GE3.

Mosfet,canale N,40V,3A,sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.9A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:750Mw; Modello Case Transistor:To-236; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V ,VISHAY SI2318CDS-T1-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Si2318Cds-T1-Ge3

Mosfet, Canale N, 60V, 2.3A, Sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SI2308BDS-T1-GE3

Mosfet, Canale P,40V,2.3A,sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:750Mw; Modello Case Transistor:To-236; No.

More from Transistor? Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2318CDS-T1-GE3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Si2318Cds-T1-Ge3
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instock	instock

Last Updated June 6th, 2024 05:40 pm

Vishay Si2318Cds-T1-Ge3

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Rating :- 8.18 /10

Votes :- 50

Mosfet, Canale P,150V,13A,dpak; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.295Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione |INFINEON IRFR6215TRPBF

Infineon Irfr6215Trpbf.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Canale P,30V,8A,tsop-6; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione D |VISHAY SI3483CDV-T1-E3

Vishay Si3483Cdv-T1-E3.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Canale N, 60V, 2.3A, Sot23-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.09W; Modello Case Transistor:To-236; No.

Vishay Si2308Bds-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:1.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2308BDS-T1-GE3.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Canale P,60V,110A,d2Pak; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-110A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0055Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.75W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Vishay Sum110P06-07L-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-110A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:-20V |VISHAY SUM110P06-07L-E3.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Canale P,60V,110A,d2Pak; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-110A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0055Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.75W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Vishay Sum110P06-07L-E3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-110A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:-20V |VISHAY SUM110P06-07L-E3.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti