Mosfet, Canale P,40V,2.3A,sot23-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:750Mw; Modello Case Transistor:To-236; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:-2.3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:-20V ,VISHAY SI2319DS-T1-E3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si2319Ds-T1-E3
Specifications of Vishay Si2319Ds-T1-E3 | |
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