Vishay Si2308Bds-T1-Ge3
About The 09W; Modello Case Transistor:To-236; No.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI2308BDS-T1-GE3
Mosfet, Canale N, 60V, 2.3A, Sot23-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.09W; Modello Case Transistor:To-236; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:1.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V ,VISHAY SI2308BDS-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si2308Bds-T1-Ge3
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Si2308Bds-T1-Ge3 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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