Mosfet,canale N,30V,6.3A,tsop6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6.3A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.7W; Modello Case Transistor:Tsop; No. Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V ,VISHAY SI3456DDV-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si3456Ddv-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si3456Ddv-T1-Ge3 | |
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