reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Nexperia

Nexperia Psmn1R0-30Ylc,115

About The Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):850Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115

Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):850Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115

Semiconduttori - Discreti

Nexperia Psmn1R0-30Ylc,115

More from Nexperia | Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):850Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Nexperia Psmn1R0-30Ylc,115

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Nexperia Psmn1R0-30Ylc,115
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.13 /10
Votes :- 50
Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):750Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.41V; Dissipazione Di Potenza Pd:137W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):750Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.41V; Dissipazione Di Potenza Pd:137W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Nexperia Psmn0R9-25Ylc,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |NEXPERIA PSMN0R9-25YLC,115.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 80V, 120A, To220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |NEXPERIA PSMN4R3-80PS,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 80V, 120A, To220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.003Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN3R5-80PS,127
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN1R2-30YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN1R2-25YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, N Ch, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):950Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |NEXPERIA PSMN1R1-25YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):850Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):750Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN0R9-25YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 30V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):850Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia
    • Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):750Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN0R9-25YLC,115
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Nexperia