Mosfet, Canale N, 25V, 100A, Lfpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.45V; Dissipazione Di Potenza Pd:179W; Modello Case Transistor:Sot-669; No. Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C ,NEXPERIA PSMN1R2-25YLC,115
Semiconduttori - Discreti
Nexperia Psmn1R2-25Ylc,115
Specifications of Nexperia Psmn1R2-25Ylc,115 | |
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