Nexperia Psmn3R5-30Yl,115

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Mosfet, Canale N 30V 65A Sot669; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:65A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00492Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN7R0-30YL,115

Nexperia Psmn7R0-30Yl,115.

Transistor

Nexperia

Mosfet, Canale N 30V 73A Sot669; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:73A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00426Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN6R0-30YL,115

Nexperia Psmn6R0-30Yl,115.

Transistor

Nexperia

Mosfet, Canale N 30V 100A Sot669; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00129Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:109W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Nexperia Psmn1R7-30Yl,115 Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:15A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Resistenza Stato On Max:1.7Mohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |NEXPERIA PSMN1R7-30YL,115.

Diodi

Nexperia

Diodo, Schottky Raddrizz, 12A, 100V; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):12A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277A; No.

Vishay V12P10-M3/86A Di Pin:3Pin; Tensione Diretta Vf Max:640Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:200A; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:V12P1 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Corrente Ifsm:200A; Energia Singolo Impulso Avalanche Eas:100Mj; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -40Â°C A +150Â°C; Larghezza Esterna:4.75Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:6.

Diodi

Vishay

Diodo, Schottky Raddrizz, 12A, 100V; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):12A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:To-277A; No.

2Mm; Tecnologia Semiconduttori:Si; Temperatura Di Esercizio Min:-40Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-40Â°C; Tipo Di Diodo:Schottky; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |VISHAY V12P10-M3/86A.

Diodi