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Onsemi

Onsemi Fdb3652

About The 014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDB3652.Mosfet, Canale N 61A 100V, To236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:61A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N 61A 100V, To236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:61A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,ONSEMI FDB3652

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Specifications of Onsemi Fdb3652

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Canale N 80A 75V, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDP060AN08A0
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    • Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    :50; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:250Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.Onsemi Ffb2907A Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:500Ma; Frequenza Di Transizione Ft:250Mhz; Hfe Min.6V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Universale |ONSEMI FFB2907A.

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