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Onsemi Fdc3512

About The Mosfet, Canale N 3A 80V Ssot-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.056Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |ONSEMI FDC3512

Mosfet, Canale N 3A 80V Ssot-6; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.056Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S ,ONSEMI FDC3512

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Specifications of Onsemi Fdc3512

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Fdc3512
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Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

2V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDMC2610.Onsemi Fdmc2610 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Ultrafet Trench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:9.5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:200V; Tensione Vgs Max:3.

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