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Onsemi Fdn308P

About The 125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1

Mosfet, Canale P -1.5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Ten ,ONSEMI FDN308P

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Specifications of Onsemi Fdn308P

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Onsemi Fdn308P
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Rating :- 8.29 /10
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Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDMC2610
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    • Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    :50; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:250Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.Onsemi Ffb2907A Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:500Ma; Frequenza Di Transizione Ft:250Mhz; Hfe Min.

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