reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Ffb2907A

About The 5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case |ONSEMI FFB2907A.Transistor, Pnp, 0

Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case ,ONSEMI FFB2907A

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Ffb2907A

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Ffb2907A

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Ffb2907A
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.29 /10
Votes :- 53
Transistor, Npn, 40V, 200Ma, To-92; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di |ONSEMI 2N3904BU
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

    Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:Power 33; No.

    5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:200V; Tensione Vgs Max:3.Onsemi Fdmc2610 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Ultrafet Trench Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:9.2V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDMC2610.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, N Ch, 200V, 9.5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDMC2610
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 100V, 3.7A, Sot-223; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.7A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDT3612
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N 80A 75V, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDP060AN08A0
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.

    Onsemi Ffb2907A Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Ic Continua A Max:500Ma; Frequenza Di Transizione Ft:250Mhz; Hfe Min.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case |ONSEMI FFB2907A
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale P -1.5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Ten |ONSEMI FDN308P
  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Interruttori elettrici
  • Interruttori elettrici speciali
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Transistor, Pnp, 0.5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case |ONSEMI FFB2907A
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale P -1.5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Ten |ONSEMI FDN308P
  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Interruttori elettrici
  • Interruttori elettrici speciali
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi