Infineon Irf530Npbf
About The 09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So |INFINEON IRF530NPBF.Mosfet, N, 100V, 17A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, N, 100V, 17A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So ,INFINEON IRF530NPBF
Semiconduttori - Discreti
Infineon Irf530Npbf
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Irf530Npbf | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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