reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Irfr320Pbf

About The Mosfet, N, 400V, 3.1A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1

Mosfet, N, 400V, 3.1A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.1A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So ,VISHAY IRFR320PBF

Semiconduttori - Discreti

Vishay Irfr320Pbf

More from Circuiti Stampati E Componenti: Mosfet, N, 400V, 3.1A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.1A; Tensione Drain Source Vds:400V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So |VISHAY IRFR320PBF
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Irfr320Pbf

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Vishay Irfr320Pbf
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.25 /10
Votes :- 55
Mosfet, P, -200V, -3.6A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.6A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione D |VISHAY IRFR9220PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, P, -200V, -1.9A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.9A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di |VISHAY IRFR9210PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, P, -100V, -3.1A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.1A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di |VISHAY IRFR9110PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, P, -60V, -5.1A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di S |VISHAY IRFR9014PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, P, -60V, -5.1A, D-Pak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.1A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di S |VISHAY IRFR9014PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay