reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Irlml2803Trpbf

About The Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |INFINEON IRLML2803TRPBF

Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia ,INFINEON IRLML2803TRPBF

Semiconduttori - Discreti

Infineon Irlml2803Trpbf

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Irlml2803Trpbf

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Infineon Irlml2803Trpbf
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.16 /10
Votes :- 55
Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:850Ma; Corrente Di Impulso Idm:7.3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml2803Pbf; Marcatura Smd:1B; No.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:850Ma; Corrente Di Impulso Idm:7.3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml2803Pbf; Marcatura Smd:1B; No.

5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:1V |INFINEON IRLML2803TRPBF Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Infineon Irlml2803Trpbf.Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, Logic, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.6A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.54Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia |VISHAY IRL510PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, Logic, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:28A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia |VISHAY IRL540PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, Logic, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:14A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.16Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia |VISHAY IRL530PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, Logic, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9.2A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia |VISHAY IRL520PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.2A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Sogli |INFINEON IRLML2402TRPBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |INFINEON IRLML2803TRPBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, Logic, Dil; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vg |VISHAY IRLD120PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:850Ma; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |INFINEON IRLML2803TRPBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, N, Logic, Dil; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.27Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vg |VISHAY IRLD120PBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay