reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Irlml2502Trpbf

About The Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:740Pf; Carica Gate Canale N:12Nc; Carica Qrr @ Tj = 25°C Tipica:8.2A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4

Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C ,INFINEON IRLML2502TRPBF Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:740Pf; Carica Gate Canale N:12Nc; Carica Qrr @ Tj = 25°C Tipica:8.6Nc; Corrente Id Max:4.2A; Corrente Idss Max:1Μa; Corrente Di Impulso Idm:33A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml2502Pbf; Marcatura Smd:1G; No. Mosfet, Canale N, 20V, 4.2A, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.2A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.25W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Semiconduttori - Discreti

Infineon Irlml2502Trpbf

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Irlml2502Trpbf

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Irlml2502Trpbf
More Varieties

Rating :- 8.17 /10
Votes :- 51