Infineon Irlml6302Trpbf
About The 5V; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1
Di Transistor:1; Profondità Esterna:2.5Mm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:-12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V ,INFINEON IRLML6302TRPBF Mosfet, P, Logic, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:600Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:400Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-780Ma; Corrente Di Impulso Idm:34A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml6302; Marcatura Smd:1C; No.
Semiconduttori - Discreti
Infineon Irlml6302Trpbf
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Irlml6302Trpbf | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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