Infineon Irlml6402Trpbf

Rating :- 8.17 /10

Votes :- 54

Mosfet, Canale P, 100V, 21A, To247Ac; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensi |VISHAY IRFP9140PBF

Vishay Irfp9140Pbf.

Mosfet, P, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs: |VISHAY IRF9620PBF

Vishay Irf9620Pbf.

Mosfet, P, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:1.75A; Tensione Drain Source Vds:-200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:- |VISHAY IRF9610PBF

Vishay Irf9610Pbf.

Mosfet, P, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4 |VISHAY IRF9520PBF

Vishay Irf9520Pbf.

Mosfet, P, To-220; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:-100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-4 |VISHAY IRF9510PBF

Vishay Irf9510Pbf.

Mosfet, Canale P,-30V,-3A,sot23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.098Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione |INFINEON IRLML5203TRPBF

Infineon Irlml5203Trpbf.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-3A; Corrente Di Impulso Idm:-24A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml5203; Marcatura Smd:H; No.

Infineon Irlml5203Trpbf.25W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); CapacitÃ Ciss Tipica:633Pf; Carica Qrr @ Tj = 25Â°C Tipica:11Nc; Carica Su Gate Canale P:12Nc; Corrente Id Max:-3.7A; Corrente Idss Max:1Îa; Corrente Di Impulso Idm:22A; Energia Singolo Impulso Avalanche Eas:11Mj; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml6402; Marcatura Smd:1E; No.

7A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-3A; Corrente Di Impulso Idm:-24A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml5203; Marcatura Smd:H; No.

5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5Mm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V |INFINEON IRLML5203TRPBF Mosfet, Canale P,-30V,-3A,sot23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25W; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Infineon Irlml5203Trpbf.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); CapacitÃ Ciss Tipica:633Pf; Carica Qrr @ Tj = 25Â°C Tipica:11Nc; Carica Su Gate Canale P:12Nc; Corrente Id Max:-3.7A; Corrente Idss Max:1Îa; Corrente Di Impulso Idm:22A; Energia Singolo Impulso Avalanche Eas:11Mj; Larghezza Esterna:3.05Mm; Larghezza Nastro:8Mm; Livello Temperatura A Piena Potenza:25Â°C; Lunghezza/Altezza Esterna:1.12Mm; Marcatura Dispositivo:Irlml6402; Marcatura Smd:1E; No.

7A,sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.5Mm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Tempo Di Discesa Tf:381S |INFINEON IRLML6402TRPBF Mosfet, Canale P,-20V,-3.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-550Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:1.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.