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Stmicroelectronics Std3Nk60Z-1

About The Mosfet, N, I-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.4A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3

Mosfet, N, I-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.4A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3.3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.7 ,STMICROELECTRONICS STD3NK60Z-1

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Specifications of Stmicroelectronics Std3Nk60Z-1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Stmicroelectronics Std3Nk60Z-1
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Transistor Darlington, Sot-32; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:-; Dissipazione Di Potenza Pd:40W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |STMICROELECTRONICS BD679
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