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Epcos

Epcos B72650M0271K072

About The Varistore, 3225, 8.6J, 275Vac; Tensione Nominale Vac:275V; Tensione Nominale V Cc:350V; Gamma Prodotti:Serie B726; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:710V; Modello Case Varistore:3225; Tipo Di Varistore:Varistore Metallo Ossi |EPCOS B72650M0271K072

Varistore, 3225, 8.6J, 275Vac; Tensione Nominale Vac:275V; Tensione Nominale V Cc:350V; Gamma Prodotti:Serie B726; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:710V; Modello Case Varistore:3225; Tipo Di Varistore:Varistore Metallo Ossi ,EPCOS B72650M0271K072

Protezione dei circuiti

Epcos B72650M0271K072

Res, Thick Film, 11K5, 1%, 0.063W, 0402; Resistance:11.5Kohm; Resistance Tolerance:± 1%; Power Rating:62.5Mw; Resistor Case/Package:0402 ^1005 Metric]; Resistor Technology:Thick Film; Resistor Type: 52K6623 |VISHAY CRCW040211K5FKED-DEL
Varistore, 4032, 21.0J, 275Vac; Tensione Nominale Vac:275V; Tensione Nominale V Cc:350V; Gamma Prodotti:Serie B726; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:710V; Modello Case Varistore:4032; Tipo Di Varistore:Varistore Metallo Ossido (Mov); Picco Di Sovracorrente @ 8/20Μs:1.2Ka; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:85°C; Energia Di Picco (10/1000Us):21J; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità:95Pf; Categoria Di Approvazione:Csa, Ul; Corrente Di Picco:1.2Ka; Corrente Di Picco Impulso Ipp @ 8/20Μs:1200A; Diametro Corpo:9Mm; Energia Transitoria:21J; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -40°C A +85°C; Lunghezza Conduttore:30Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:11.5Mm; Tensione Varistore:430V; Tensione Varistore @ 1Ma:387V; Tensione Varistore @ 1Ma Max:473V; Tensione Di Bloccaggio @ 8/20Μs Max:710V; Tipo Di Soppressore:Varistore; Tolleranza Tensione Varistore +:10% |EPCOS B72660M0271K072
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Specifications of Epcos B72650M0271K072

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Mosfet, P, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6.7A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI FDD306P
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    • Mosfet, P, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6.7A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-500Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, P, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6.7A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-500Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    7A; Corrente Di Impulso Idm:54A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Modello Case Alternativo:D-Pak; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-12V; Tensione Vgs Max:-8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.Onsemi Fdd306P Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-6.

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