reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Onsemi

Onsemi Fdd306P

About The 09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.7A; Corrente Di Impulso Idm:54A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Modello Case Alternativo:D-Pak; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-12V; Tensione Vgs Max:-8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4

Mosfet, P, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6.7A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-500Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:52W; Modello Case Transistor:To-252; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-6.7A; Corrente Di Impulso Idm:54A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Modello Case Alternativo:D-Pak; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-12V; Tensione Vgs Max:-8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V ,ONSEMI FDD306P

Semiconduttori - Discreti

Onsemi Fdd306P

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Onsemi Fdd306P

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Onsemi Fdd306P
More Varieties

Rating :- 8.29 /10
Votes :- 53