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Infineon

Infineon Irfr1205Trpbf

About The 027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |INFINEON IRFR1205TRPBF.Mosfet, Canale N, 55V, 44A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 55V, 44A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D ,INFINEON IRFR1205TRPBF

Semiconduttori - Discreti

Infineon Irfr1205Trpbf

Sram, 256Kbit, Parallel, 10Ns, 32Soj; Dimensione Memoria:256Kbit; Configurazione Memoria Sram:32K X 8Bit; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 4,5V A 5,5V; Modello Case Memoria Ci:Soj; No.
Di Pin:16Pin; Tensione Di Alimentazione Min:4.5V; Tensione Di Alimentazione Max:5.5V; Tipo Uscita Ci:Tri State; Famiglia Ci Logico:74Hct; Numero Base Ci Logico:74595; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -40°C A +125°C; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 4,5V A 5,5V; No.
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Infineon Irfr1205Trpbf
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Rating :- 8.18 /10
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Eeprom Seriale, 1Mbit, 20Mhz, Soij-8; Dimensione Memoria:1Mbit; Configurazione Memoria Eeprom:128K X 8Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Spi Seriale; Frequenza Di Clock:20Mhz; Modello Case Memoria Ci:Soij; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Memoria
  • ROM
  • Microchip
    • Eeprom Seriale, 64Kbit, 10Mhz, Soic-8; Dimensione Memoria:64Kbit; Configurazione Memoria Eeprom:8K X 8Bit; Tipo Di Interfaccia Di Memoria:Spi Seriale; Frequenza Di Clock:10Mhz; Modello Case Memoria Ci:Soic; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Memoria
  • ROM
  • Microchip
    • Mosfet, Ch Np, 55V, 3.4A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:4.7A; Tensione Drain Source Vds:55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.043Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IRF7343TRPBF
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    • Mosfet, Canale P, 55V, 31A, Dpak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-31A; Tensione Drain Source Vds:-55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tension |INFINEON IRFR5305TRPBF
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    • Mosfet, Canale P, 55V, 31A, Dpak; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-31A; Tensione Drain Source Vds:-55V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.065Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tension |INFINEON IRFR5305TRPBF
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