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Vishay

Vishay Muh1Pb-M3/89A

About The 05V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:25Ns; Corrente Di |VISHAY MUH1PB-M3/89A.Diodo, Raddrizz, 100V, 1A, Microsmp; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1

Diodo, Raddrizz, 100V, 1A, Microsmp; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.05V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:25Ns; Corrente Di ,VISHAY MUH1PB-M3/89A

Semiconduttori - Discreti

Vishay Muh1Pb-M3/89A

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Specifications of Vishay Muh1Pb-M3/89A

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Vishay Muh1Pb-M3/89A
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Rating :- 8.23 /10
Votes :- 55
Kit, Sonda Di Test, Con Fusibile; Tipo Sonda Di Prova:-; Funzione Sonda Di Prova:-; Accuratezza %:-; Utilizzare Con:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Capacità Di Rottur |FLUKE FLUKE FTP-1
  • Articoli di ferramenta
  • Utensili
  • Strumenti/sensori misurazione
  • Strumenti per test elettrici
  • Test e misurazioni
  • Fluke
    • Mosfet, Canale N, 60V, 0.33A, Sc-75A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Modello Case Transistor:Sc-75A; No.

    Mosfet, Canale N, 60V, 0.33A, Sc-75A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Modello Case Transistor:Sc-75A; No.

    Vishay Si1022R-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C |VISHAY SI1022R-T1-GE3.

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    • Diodo, Raddrizz, 1Kv, 1A, Sma; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:1.8Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Diodo, Raddrizz, 1Kv, 1A, Sma; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:1.8Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Vishay S1M-E3/61T Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:S1M-E Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (15-Jan-2019); Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Numero Di Pin:2 Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tipo Di Diodo:Standard Recovery |VISHAY S1M-E3/61T.

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    • Mosfet, Canale N, 60V, 0.33A, Sc-75A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SI1022R-T1-GE3
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    • Diodo, Raddrizz, 3Kv, 0.25A, Do-204Al; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:3Kv; Corrente Diretta If(Av):250Ma; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di |VISHAY GP02-30-E3/73
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    • Diodo, Raddr, 1.3Kv, 3A, Do-201Ad; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.3Kv; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:3Μs; Corrente Di Pi |VISHAY BY255P-E3/54
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