Mosfet, Canale N, 60V, 0.33A, Sc-75A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:330Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi ,VISHAY SI1022R-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si1022R-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si1022R-T1-Ge3 | |
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