reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Std18N55M5

About The Mosfet, Canale N, 550V, 13A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD18N55M5

Mosfet, Canale N, 550V, 13A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,STMICROELECTRONICS STD18N55M5

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Std18N55M5

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Std18N55M5

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Stmicroelectronics Std18N55M5
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.04 /10
Votes :- 52
Mosfet, Canale N, 650V, 7A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.56Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |STMICROELECTRONICS STD8N65M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 600V, 5A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.84Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |STMICROELECTRONICS STD7NM60N
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 620V, 5.5A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.5A; Tensione Drain Source Vds:620V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.95Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STD6N62K3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 950V, 4A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:950V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):3Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di So |STMICROELECTRONICS STD5N95K3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 620V, 3.8A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:620V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD4N62K3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 1000V, 1.85A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:1.85A; Tensione Drain Source Vds:1Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):6.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |STMICROELECTRONICS STD2NK100Z
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 550V, 13A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD18N55M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 650V, 12A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.23Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD16N65M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 550V, 13A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD18N55M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 650V, 12A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.23Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STD16N65M5
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics